Способ изготовления инструментов преимущественно для монтажа группы кристаллов с одинаковой разностью сторон основания
1 350041 2,0 х 2,2;2,1 х 2,3; 2,6 х 2 8;2,7 х 2,9; 2,2 х 2,4;2,3 х 2,51 10 2,4 х 2,6;2,5 х 2,7; 2,8 х 3,0,1,4 х 1,6;1,5 х 1,7;1,6 х 1,8;1,7 х 1,9; 1,8 х 2,0", 1,9 х 2,1; 0,8 х 1,0;0,9 х 1,1;1,0 х 121,1 х 1,3,1,2 х 1,41,3 х 1,5; Изобретение относится к обработке металлов давлением, в частности к способам изготовления инструментов преимущественно для монтажа кристаллов.Цель изобретения - сокращение эксплуатационных расходов.На фиг.1 показана пресс-форма для прессования заготовки для каждого инструмента; на фиг.2 - отпрессованная заготовка; на фиг.З - инструмент; на фиг.4 - вид А на фиг.З; на фиг.5 - пуансон; на Фиг.6 - способ монтажа кристалла.Пресс-форма для прессования заготовки содержит матрицу 1, пуансон 2 и выталкиватель 3. Матрицу при прессовании заполняют твердо- сплавной смесью 4. Способ заключается в том,что матрицу 1 заполняют твердосплавной смесью 4 и производят прессование заготовки с помощью пуансона 2 на выталкиватель 3. После прессования получают заготовку 5 с рабочей полостью 6.При этом рабочая головка пуансона 2 выполнена в форме усеченногочетырехгранного понтона с малыми 7 ибольшими 8 боковыми гранями, малым 9основанием, а также большим 10 основаниями. Разность сторон основания 9и 1 О равна. разности сторон группыкристаллов, а пары противоположныхбоковых сторон граней 7 и 8 расположены под одинаковым углом к большемуоснованию, Возможность лспользования одного пуансона для прессованиязаготовок для изготовления группыинструментов для монтажа кристалловупомянутой группы можно пояснитьна примере. Необходимо изготовить, например,группу инструментов со следующимиразмерами сторон основанияв полости 6, мм: Разность сторон для этой группы 15 инструментов составляет 0,2 мм,следовательно, для их изготовленияможно применить одип пуансон с рабочей головкой с размерами малого основания 9 0,7 х 0,9 мм большого 20 основания 10 3,0 х 3,2 мм и угламимежду парой противоположных боковыхограней, равными 90Отпрессованную заготовку 5 послеспекания подвергают механической обчработке, а именно обтачивают хвостоВик 11 и подрезают и шлифуют торец 12до получения полости 6 с соответствующими размерами сторон основания,т.е. в зависимости от размеров сторон ЗО кристаллов из упомянутой группы, Монтаж кристаллов 13 производят на плите 14 с помощью инструмента 15.При изготовлении группы инструментов с разностью сторон основания, ЗБ отличающийся от 0,2 мм, необходимозаменить пуансон при использованиитой же матрицы.Технико-экономический эффект отвнедрения предлагаемого способа обес печивается сокращением эксплуатацинных расходов по сравнению с известным способом. Формула изобретенияСпособ изготовления инструментов преимущественно для монтажа группы кристаллов с одинаковой разностью сторон основания, включающий загрузку норошкообразной шихты в матрицу и ее прессование с помощью пуансона с рабочей головкой, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью сокращения эксплуатационных расходов, в заготовке образуют монтажную полость с помощью пуансона с рабочей голов" кой ограниченной поверхностью усеченного четырехгранного понтона разность сторон каждого из оснований которого равна постоянной величине,135 И 141 иг Фиг. б Фиг,бСоставитель В.,Гринберг дактор О.Головач Техред И.Попович ректор М.Шароши аказ 5 ПодписноеР т д,45 нПроектная, 4 Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород пара нрочнвоноложных боковых граней понтона размещена под одинаковым углом к болвшему основанию в 20/17 Тираж 564 ВНИИПИ Государственного комит по делам изобретений и откры 13035, Москва, Ж"35, Раушска каждой паре, н затем механическиобрабатывают торец заготовки со стороны упомянутой полости.
Заявка
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1172
ВЕРКИНА ЛЮДМИЛА СЕРГЕЕВНА, ИНДЖИАШВИЛИ МИХАИЛ АКОПОВИЧ, ШАПЕЛЬНИКОВ ГРИГОРИЙ РАФАЭЛОВИЧ, ШАПИРО МИХАИЛ КОНСТАНТИНОВИЧ
МПК / Метки
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1350041-sposob-izgotovleniya-instrumentov-preimushhestvenno-dlya-montazha-gruppy-kristallov-s-odinakovojj-raznostyu-storon-osnovaniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления инструментов преимущественно для монтажа группы кристаллов с одинаковой разностью сторон основания</a>
Способ монтажа кристаллов на основанияНомер патента: 865071
. способ требует затраты значительного времени и не обеспечивает однородное присоединение по всей поверхности кристалла.Известен способ монтажа кристаллов на основании, включающий способ монтажа кристаллов, нагрев основания, совмещение его с кристаллом,нагружение соединяемых элементов и их соединение с подъемно-поперечным перемещением по границе соединения,Недостатком данного способа является большое количество газовых включений и окислов в зоне соединения, что ухудшает его механические и электрические свойства. Кроме того, образование соединения требует значительного времени.Цель изобретения - повышение качества и сокращение .длительности подсоединения. 35Поставленная цель достигается тем, что в способе монтажа кристаллов на.
Устройство для установки с заданный шагом группы инструментовНомер патента: 455777
. болта.Неподвижные пластины 2 и 3 установлены5 на основании б. На стержнях 5 закрепленыдиски 7, несущис эластичные камеры 8, связанные с магистралью подвода сжатого воздуха. В пазах подвижной пластины 3 размещены втулки 9, а в пазах пластины 2 - втул ки 10. 4) УСТРОЙСТВО ДЛЯ УСТАНОВКИ С ЗАДАННЫМ ШАГ ГРУППЫ ИНСТРУМЕНТОВ4557773Для удобства настройки пластина 4 имеетшкалу, а пластилина 2 - риску, которые показывают значение шага в зависимости от глапово ота. Шр . Штампы-скобы 1 пронумерованы.ти от углаУстройство работает следующим образом.ри вращении пластины 4 вокруг центрального стержня 5 втулки 9, поворачиваясь вокруг болтов, скользят в пазах пластины 4,а втулки 10 и диски 7 вместе с болтами и заперемещаются вдоль продольных пазов.
Устройство для монтажа кристалловНомер патента: 1767584
. обрарегулируют пружиной 8 так, чтобы не быложесткого контакта между кристаллом 2 иопорными поверхностями 4 инструмента 1.Инструмент 1, удерживающий кристалл2, вместе с кареткой 9 при помощи механизма 10 перемещения поднимается и монтажный столик 11 подает под инструменткорпус 12 изделия с соединительной прокладкой 13. С помощьЮмеханизма 10 перемещения каретку 9 опускают до тех пор,пока кристалл 2 не начнетсжимать соединительную прокладку 13. Каретка 9 останавливае"гся;ЭксперИментально установлено, что сила Рот (Н), с которой газ давит на кристалл 2,подчиняется соотношениюг.,=р.я. - вч 1 - , 1 уб 1где Ро - давление газа в системе (Па);Я - площадь кристалла (м );г,и - величина зазора (м);б - диаметр аксиального отверстия.
Способ монтажа кристаллов полевых транзисторов на платы гибридно-интегральных схемНомер патента: 1274889
. площадке затвора 1 наемкостях С и С индуцируется заряд, практически равный по величи 5 О 15 20 25 30 35 40 45 50 55 не напряжению сварочного импульса,т.е. на контактных площадках стока4 и истока 5 появляется заряд обратной полярности по отношению к затвору. При последующей сварке истокового или стокового выводов наличиена контактных площадках истока илистока потенциала обратной полярности снижает уровень итогового потенциала области исток - сток, эа счетчего снижается вероятность пробояпереходов исток - затвор и стокзатвор,П р и м е р, Проводили монтажкристаллов СВЧ полевых транзисторовна полосковую плату иэ поликора толщиной 0,5 мм с нанесенными на нее методами тонкопленочной технологии полосковыми линиями, контактными площадками и.
Способ монтажа кристаллов на облуженные платы микросборокНомер патента: 1496565
1. СПОСОБ МОНТАЖА КРИСТАЛЛОВ НА ОБЛУЖЕННЫЕ ПЛАТЫ МИКРОСБОРОК, включающий формирование из одного конца микропроволоки шариковых выводов на контактных площадках кристаллов термокомпрессионной сваркой, последующую установку и присоединение выводов кристаллов к плате, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности микросборок к термоциклическим нагрузкам за счет снижения механических напряжений на границе вывод плата, обрезают второй конец микропроволоки и формируют выводы булавообразной формы.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что наносят кремнеорганический или эпоксидный клей в промежутки между красталлами.